ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ НАНОГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ ZnSe(0.2%Те)/ZnO:O ПОСЛЕ ПРОТОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ
Эльмуратова Д.Б., Таубалдиев А.А.
Элмуротова Дилноза Бахтиеровна - доктор философии по физико-математическим наукам, доцент;
Таубалдиев Азамат Аскарович - студент,
кафедра теплоэнергетики и АЭС,
Ташкентский государственный технический университет,
г. Ташкент, Республика Узбекистан
Аннотация: на сегодняшний день одной из проблем в области оптоэлектроники является создание высокоэффективных биполярных широкозонных наногетеропереходов для достижения яркого и стабильного свечения при низком приложенном напряжении и комнатной температуре. В статье изучается зависимость фотоэлектрических и электролюминесцентных характеристик наногетеропереходов ZnSe(0.2%Те)/ZnO:О до и после протонного облучения.
Ключевые слова: наногетеропереход, полупроводниковая структура, фотопроводимость, электролюминесценция, приложенное напряжение, протонное облучение.
Список литературы
- Rahman Faiz. Opt. Eng. 58 (1), 010901 (2019), doi: 10.1117/1.OE.58.1.010901.
- Рыжиков В.Д. и др. Способ получения полупроводникового материала n-типа на основе ZnSe// Патент. Украина, 2011. С. 1-6.
- Вакулинко О.В. и др. ФТП, 1997. Т. 31. № 10. С. 1211-1215.
- Nie B. at all. UK, 2013. 24, 095603. P. 1-8.
Ссылка для цитирования данной статьи
![]() |
Тип лицензии на данную статью – CC BY 4.0. Это значит, что Вы можете свободно цитировать данную статью на любом носителе и в любом формате при указании авторства. | |
Эльмуратова Д.Б., Таубалдиев А.А. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ НАНОГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ ZnSe(0.2%Те)/ZnO:O ПОСЛЕ ПРОТОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ // Научный журнал № 2(57), 2021. - С. {см. журнал}. |